类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-15 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-60 A
　　导通电阻RDS(on)：40 mΩ（最大值，VGS = -10 V）
　　导通电阻RDS(on)：50 mΩ（最大值，VGS = -8 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-2.0 V 至 -3.5 V
　　输入电容（Ciss）：1125 pF（典型值，VDS=30V）
　　输出电容（Coss）：475 pF（典型值，VDS=30V）
　　反向恢复时间（trr）：28 ns（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DirectFET 3.3mm x 3.3mm

IRF9621的最显著特性之一是其采用DirectFET封装技术，这种创新的表面贴装封装形式不仅实现了极低的热阻，还提供了卓越的电气性能。DirectFET封装通过顶部和底部同时散热的方式，极大地提升了功率密度与热管理效率，使其在高功率密度应用中表现出色。该封装结构还能有效降低寄生电感和电阻，从而减少开关过程中的电压尖峰和能量损耗，提高了系统的稳定性和可靠性。相比传统的D-Pak或SO-8封装，DirectFET在相同尺寸下可提供更高的电流承载能力和更好的热传导路径，尤其适合用于DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统等对效率和空间有严格要求的场合。
　　另一个关键特性是其低导通电阻RDS(on)，在VGS = -10 V时最大仅为40 mΩ，这意味着在大电流条件下仍能保持较低的导通压降和功率损耗。这对于延长电池寿命、减少发热以及提升系统整体效率至关重要。例如，在负载开关或电机驱动应用中，低RDS(on)可以显著减少静态功耗，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。同时，该器件的栅极驱动特性经过优化，可在-8 V至-10 V的栅极电压下充分导通，兼容大多数常见的逻辑电平输出，使得它能够无缝集成到现代数字控制系统中。
　　此外，IRF9621具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压事件中承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，增强了系统在恶劣工作环境下的鲁棒性。其内部结构设计也减少了米勒电容效应，抑制了寄生导通现象的发生，进一步提升了高频开关应用中的安全性与稳定性。综合来看，IRF9621凭借其优异的热性能、低导通损耗、高可靠性以及易于驱动的特点，成为众多高端电源管理方案中的理想选择。

IRF9621主要应用于各类需要高效、紧凑型P沟道功率开关的电源系统中。一个典型的应用场景是同步降压变换器（Buck Converter）中的上管开关，尤其是在非隔离式DC-DC转换器中作为高端侧开关使用。由于其低RDS(on)和快速开关特性，IRF9621能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提高电源转换效率，特别适用于笔记本电脑、平板设备、服务器电源模块等对能效要求较高的产品。
　　在电池供电系统中，如便携式医疗设备、移动通信终端和电动工具中，IRF9621常被用作电池连接器或电源路径控制器，负责接通或断开主电源与负载之间的连接。在这种应用中，它的低静态电流和高开关速度有助于实现快速响应和最小化的待机功耗，进而延长电池续航时间。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境条件下依然可靠运行。
　　工业控制领域也是IRF9621的重要应用场景之一。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路和继电器替代方案中，该器件可用于实现固态开关功能，取代传统机械继电器，从而消除触点磨损、电弧和电磁干扰等问题，提升系统寿命和抗干扰能力。此外，它还可用于H桥驱动电路中的高边开关，配合N沟道MOSFET构成完整的电机驱动桥臂，广泛应用于小型直流电机或步进电机的控制。
　　在汽车电子系统中，尽管IRF9621并非专为AEC-Q101认证设计，但在一些非安全关键的车载辅助电源系统中仍有应用潜力，例如车灯控制、风扇驱动或车载充电器中的电源管理单元。总之，IRF9621凭借其高性能和灵活性，适用于多种中等功率级别的开关电源、负载切换和电机控制应用，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。

IRF9620
　　IRF4905
　　AO4407