型号：IRF9620STR
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-1.7 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-6.8 A
　　导通电阻 RDS(on)：-0.85 Ω（@VGS=-10V）
　　导通电阻 RDS(on)：-1.3 Ω（@VGS=-4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-2.0 V 至 -4.0 V
　　输入电容（Ciss）：320 pF（@VDS=50V）
　　输出电容（Coss）：115 pF（@VDS=50V）
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　功耗（PD）：1.6 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　安装类型：表面贴装（SMD）

IRF9620STR采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和场效应优化设计，实现了优异的导通特性和开关性能。其核心优势之一是在较低的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，例如在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为1.3Ω，这使得它非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。该器件的输入电容和输出电容均经过优化，典型Ciss为320pF，在高频开关应用中可显著降低驱动损耗，提升转换效率。
　　另一个关键特性是其出色的热性能表现。PowerPAK SO-8封装去除了传统的引线框架结构，采用铜夹连接技术，大幅提升了散热效率，使芯片结到PCB之间的热阻（RθJC）显著降低，从而在有限的空间内实现更高的功率处理能力。即使在持续负载条件下，也能有效控制温升，延长器件寿命。
　　IRF9620STR具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。同时，其栅氧化层经过严格质量控制，确保在±20V栅源电压范围内可靠工作，防止因误操作导致的击穿故障。此外，该器件具有低门极电荷（Qg）特性，有助于减少开关过程中的动态损耗，尤其适用于高频率工作的DC-DC变换器拓扑。
　　该MOSFET还具备良好的体二极管性能，其反向恢复时间trr为38ns，属于较快水平，有助于减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。这对于同步整流或H桥驱动等涉及体二极管导通的应用尤为重要。综合来看，IRF9620STR凭借其低RDS(on)、快速开关、良好热管理及高可靠性，成为众多中小功率电源管理系统中的优选器件。

IRF9620STR广泛应用于多种中低功率电源管理与控制场合。常见用途包括便携式电池供电设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑、移动电源等，利用其P沟道特性实现高边负载开关功能，能够高效地切断主电源路径以降低待机功耗。在DC-DC降压转换器中，该器件可用作高端开关元件，尤其是在非同步Buck电路中作为主控开关，配合肖特基二极管完成能量传递。
　　在电机驱动领域，IRF9620STR可用于小型直流电机的方向控制或启停控制，特别是在玩具、家用电器和智能锁等消费类电子产品中，其紧凑封装和足够电流承载能力满足了集成化需求。此外，该器件也可用于H桥电路中作为上桥臂开关，实现正反转控制。
　　工业控制系统中，IRF9620STR常被用于继电器驱动、电磁阀控制或LED驱动模块中，作为高压侧开关来控制负载通断。其-100V耐压能力使其适用于24V或48V工业总线系统，在存在电压波动或瞬态浪涌的环境中依然稳定运行。
　　在适配器、充电器和隔离式电源设计中，IRF9620STR可用于次级侧同步整流或初级侧辅助电源电路，提升整体转换效率。此外，由于其符合AEC-Q101车规认证的部分版本要求，也被部分车载电子模块所采用，如车身控制模块、车灯控制单元等。总之，该器件凭借其高性价比、小尺寸和高性能，适用于需要P沟道MOSFET的各种模拟与数字电源切换场景。

IRF9620PBF
　　SI4497DY-T1-E3
　　FDS6670A
　　AO4490