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IRF9610PBF 发布时间 时间:2025/6/21 11:39:00 查看 阅读:31

IRF9610PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和高开关速度,适合于多种功率转换应用。其封装形式为TO-220FP,能够提供出色的散热性能,适用于需要高效能功率管理的电路设计。
  IRF9610PBF的主要用途包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。它通过优化的栅极电荷和阈值电压参数,能够在高频工作条件下保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC(典型值)
  总功耗:17W(在Tc=25°C时)
  结温范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C

特性

IRF9610PBF拥有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:支持高达100V的工作电压,确保了其在高压环境下的可靠性。
  2. 低导通电阻:典型值为0.15Ω(在Vgs=10V条件下),有助于减少导通损耗。
  3. 快速开关能力:低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频应用。
  4. 热稳定性:采用TO-220FP封装,具备良好的热传导性能,可有效降低芯片温度。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的结温范围,适应各种恶劣环境条件。

应用

IRF9610PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的能量转换。
  2. DC-DC转换器:作为功率开关元件以提高效率。
  3. 电机驱动:控制直流或无刷直流电机的速度和方向。
  4. 负载切换:实现对负载的快速接通与断开。
  5. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等功率级组件。
  6. 消费电子:例如笔记本电脑适配器、充电器以及其他便携式电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N

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IRF9610PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 900mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds170pF @ 25V
  • 功率 - 最大20W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9610PBF