IRF9610PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和高开关速度,适合于多种功率转换应用。其封装形式为TO-220FP,能够提供出色的散热性能,适用于需要高效能功率管理的电路设计。
IRF9610PBF的主要用途包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。它通过优化的栅极电荷和阈值电压参数,能够在高频工作条件下保持较低的功耗。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:18A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:45nC(典型值)
总功耗:17W(在Tc=25°C时)
结温范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
IRF9610PBF拥有以下显著特性:
1. 高击穿电压:支持高达100V的工作电压,确保了其在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻:典型值为0.15Ω(在Vgs=10V条件下),有助于减少导通损耗。
3. 快速开关能力:低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频应用。
4. 热稳定性:采用TO-220FP封装,具备良好的热传导性能,可有效降低芯片温度。
5. 宽工作温度范围:支持从-55°C到+150°C的结温范围,适应各种恶劣环境条件。
IRF9610PBF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的能量转换。
2. DC-DC转换器:作为功率开关元件以提高效率。
3. 电机驱动:控制直流或无刷直流电机的速度和方向。
4. 负载切换:实现对负载的快速接通与断开。
5. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器等功率级组件。
6. 消费电子:例如笔记本电脑适配器、充电器以及其他便携式电子产品中的功率管理模块。
IRFZ44N, IRF540N