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IRF9530NS 发布时间 时间:2025/5/21 20:20:06 查看 阅读:8

IRF9530NS 是一种 N 沃特公司(Nexperia)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),属于 P 沟道增强型 MOSFET。它广泛应用于开关电源、直流电机控制、负载切换以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
  该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,同时支持快速开关特性,能够适应多种电压等级的应用环境。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:14A
  栅极阈值电压:-2.1V 至 -4V
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  总功耗:115W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

IRF9530NS 具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:其典型的导通电阻为 0.18Ω,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力:额定连续漏极电流高达 14A,适合驱动大功率负载。
  3. 快速开关性能:由于采用了先进的制造工艺,该器件在高频应用中表现出色,可减少开关损耗。
  4. 宽温度范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定运行,适用于各种恶劣环境。
  5. 可靠性高:通过了严格的电气测试,确保长期使用中的可靠性。

应用

IRF9530NS 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源:作为主开关或同步整流元件,实现高效的电能转换。
  2. 电机驱动:用于控制直流电机的速度和方向。
  3. 负载切换:在汽车电子系统中,实现负载的快速开启与关闭。
  4. 电池管理系统:保护电路免受过压或短路的影响。
  5. 照明控制:调节 LED 或其他光源的亮度。
  6. 工业自动化:用作继电器替代品,提供更可靠且无机械磨损的开关功能。

替代型号

IRF9530,
  STP14NK50Z,
  FQP17N50,
  IXTP14N100P3

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IRF9530NS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9530NS