您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF9530

IRF9530 发布时间 时间:2025/7/16 12:44:23 查看 阅读:4

IRF9530是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。它广泛应用于各种开关电源、电机驱动和音频放大器等场景中,能够提供高效率和低功耗的性能。
  该器件采用TO-220封装形式,具备较高的漏源电压耐受能力以及适中的导通电阻,非常适合于需要大电流输出和高压操作的应用场合。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9A
  脉冲漏极电流:36A
  导通电阻:0.4Ω
  总功耗:107W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF9530具有以下显著特点:
  1. 高电压耐受能力,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻,在大电流条件下可降低功耗并提升效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用需求。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  5. TO-220标准封装设计,便于安装与散热处理。
  这些特性使得IRF9530成为许多电力电子设备的理想选择。

应用

IRF9530的主要应用领域包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计,如DC-DC转换器。
  2. 各类电机驱动电路。
  3. 音频功率放大器。
  4. 照明系统中的调光控制。
  5. 工业自动化设备及家电产品中的功率管理模块。
  其优异的性能表现使其在众多工业级和消费级电子产品中得到了广泛应用。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP16NF06

IRF9530推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF9530资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF9530参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 7.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds860pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9530