IRF9410TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。它采用了 TO-263 封装形式,广泛应用于需要高效开关特性和低导通损耗的电路中。该器件适用于直流电机驱动、负载切换、逆变器以及其他电力电子应用领域。
IRF9410TR 的设计重点在于提供高效率和可靠的操作性能,具有较低的导通电阻和较快的开关速度,同时支持较高的工作电压范围。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:2.7A
脉冲漏极电流:8.1A
导通电阻:700Ω
栅极电荷:25nC
输入电容:250pF
总功耗:13W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRF9410TR 属于增强型 MOSFET,其主要特点包括:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 500V,适用于高压环境下的开关操作。
2. 较低的导通电阻,能够减少功率损耗并提升整体效率。
3. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗并在高频应用中表现良好。
4. 稳定的工作性能,适合在宽广的工作温度范围内使用。
5. TO-263 封装形式提供了良好的散热性能和机械强度。
6. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和组装流程。
IRF9410TR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流器或主开关元件。
2. 直流电机控制与驱动电路。
3. 电池保护及负载切换电路。
4. 工业设备中的逆变器模块。
5. 各种电力电子系统中的高压开关元件。
6. 用于高频电路中的快速开关组件。
IRF9540N, IRF9Z34N, BUZ11