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IRF9410TR 发布时间 时间:2025/5/22 16:33:14 查看 阅读:20

IRF9410TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。它采用了 TO-263 封装形式,广泛应用于需要高效开关特性和低导通损耗的电路中。该器件适用于直流电机驱动、负载切换、逆变器以及其他电力电子应用领域。
  IRF9410TR 的设计重点在于提供高效率和可靠的操作性能,具有较低的导通电阻和较快的开关速度,同时支持较高的工作电压范围。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:2.7A
  脉冲漏极电流:8.1A
  导通电阻:700Ω
  栅极电荷:25nC
  输入电容:250pF
  总功耗:13W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF9410TR 属于增强型 MOSFET,其主要特点包括:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 500V,适用于高压环境下的开关操作。
  2. 较低的导通电阻,能够减少功率损耗并提升整体效率。
  3. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗并在高频应用中表现良好。
  4. 稳定的工作性能,适合在宽广的工作温度范围内使用。
  5. TO-263 封装形式提供了良好的散热性能和机械强度。
  6. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和组装流程。

应用

IRF9410TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流器或主开关元件。
  2. 直流电机控制与驱动电路。
  3. 电池保护及负载切换电路。
  4. 工业设备中的逆变器模块。
  5. 各种电力电子系统中的高压开关元件。
  6. 用于高频电路中的快速开关组件。

替代型号

IRF9540N, IRF9Z34N, BUZ11

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IRF9410TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)