时间：2025/5/10 13:07:32
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IRF9389TRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 P 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的制程技术，旨在提供高效率和可靠的开关性能。它适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等。
IRF9389TRPBF 的设计优化了导通电阻和栅极电荷，从而降低了功耗并提高了系统效率。其封装形式为 TO-263-3，也称为 DPAK，具备良好的散热性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-14A
导通电阻：7.5mΩ（典型值，Vgs=-10V）
栅极电荷：-42nC（典型值）
总电容：-135pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
逻辑电平栅极驱动：支持
IRF9389TRPBF 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，能够有效减少传导损耗和开关损耗。
它的高击穿电压使其适合用于需要承受较高电压的应用场景。
此外，这款 MOSFET 的热稳定性出色，能够在高温环境下保持良好的性能。
由于采用了 DPAK 封装，该器件具有较大的金属垫片，有助于提升散热效果。
其快速开关能力使得 IRF9389TRPBF 成为高频开关应用的理想选择。
IRF9389TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. 降压或升压型 DC-DC 转换器
3. 电池保护电路
4. 负载开关控制
5. 电机驱动电路
6. 工业自动化设备中的电源模块
7. 通信设备中的功率管理单元
凭借其出色的性能，IRF9389TRPBF 在汽车电子、消费类电子产品以及工业控制领域均表现出色。
IRF9389TRPBF, IRL9389TRPBF, Si7870DP
