您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 7:02:36 查看 阅读:1

IRF9321TRPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  该芯片的主要特点是其出色的电气性能和可靠性,能够在高频率和高负载条件下提供高效能表现。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:10nC
  输入电容:1320pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRF9321TRPBF 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻 (Rds(on)),从而减少了传导损耗,提高了系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,能够满足大功率负载需求。
  4. 稳定的工作温度范围,使其能够在极端环境下可靠运行。
  5. 具备抗雪崩能力和 ESD 保护功能,增强了整体耐用性和安全性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代设计中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  3. 各类电机驱动和逆变器电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电信设备中的高效功率管理。
  6. 消费类电子产品中的负载切换和保护电路。

替代型号

IRF9320, IRF9322, IRF9323

IRF9321TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF9321TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2590pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF9321TRPBFTR