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IRF8788TRPBF 发布时间 时间:2025/5/8 15:55:15 查看 阅读:6

IRF8788TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了 TrenchFET Gen II 技术,具有低导通电阻和高效率的特点。它适用于多种开关应用场合,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3L(D2PAK),适合表面贴装工艺。
  IRF8788TRPBF 在高频开关条件下表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足现代电子设备对高效能和紧凑设计的需求。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:2520pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263-3L (D2PAK)
  功耗:305W

特性

IRF8788TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型值下仅为 1.9mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构。
  4. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其能够在严苛环境下可靠运行。
  5. 使用 TrenchFET Gen II 技术制造,提供更优的电气特性和更高的密度。
  6. 表面贴装封装(TO-263-3L/D2PAK)简化了 PCB 设计和组装过程。
  这些特点使得 IRF8788TRPBF 成为高性能电源管理应用的理想选择。

应用

IRF8788TRPBF 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心元件,用于提升转换效率。
  3. 负载开关,在各类消费类电子产品中实现快速开启/关闭功能。
  4. 电机驱动电路,控制小型直流电机或步进电机。
  5. 电池保护系统,防止过充、过放或短路等情况发生。
  6. 工业自动化设备中的功率开关组件。
  由于其出色的电气性能和可靠性,IRF8788TRPBF 可以满足从消费类到工业级的各种应用场景需求。

替代型号

IRF8788PBF, IRF8788TRPBFH

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IRF8788TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5720pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF8788TRPBFTR