IRF8788TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了 TrenchFET Gen II 技术,具有低导通电阻和高效率的特点。它适用于多种开关应用场合,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3L(D2PAK),适合表面贴装工艺。
IRF8788TRPBF 在高频开关条件下表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足现代电子设备对高效能和紧凑设计的需求。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.9mΩ
栅极电荷:45nC
输入电容:2520pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263-3L (D2PAK)
功耗:305W
IRF8788TRPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型值下仅为 1.9mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构。
4. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其能够在严苛环境下可靠运行。
5. 使用 TrenchFET Gen II 技术制造,提供更优的电气特性和更高的密度。
6. 表面贴装封装(TO-263-3L/D2PAK)简化了 PCB 设计和组装过程。
这些特点使得 IRF8788TRPBF 成为高性能电源管理应用的理想选择。
IRF8788TRPBF 常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心元件,用于提升转换效率。
3. 负载开关,在各类消费类电子产品中实现快速开启/关闭功能。
4. 电机驱动电路,控制小型直流电机或步进电机。
5. 电池保护系统,防止过充、过放或短路等情况发生。
6. 工业自动化设备中的功率开关组件。
由于其出色的电气性能和可靠性,IRF8788TRPBF 可以满足从消费类到工业级的各种应用场景需求。
IRF8788PBF, IRF8788TRPBFH