类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60 V
　　连续漏极电流（Id）：150 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：300 A
　　功耗（Pd）：350 W
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V ~ 3.2 V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：1.3 mΩ @ Vgs = 10 V
　　输入电容（Ciss）：9200 pF
　　输出电荷（Qoss）：155 nC
　　反向恢复时间（trr）：32 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

IRF8788的核心优势在于其采用了英飞凌领先的TrenchStop?沟槽式场截止工艺，这一技术显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时有效控制了开关过程中的能量损耗。其超低的1.3毫欧导通电阻使得在大电流应用下仍能保持较低的传导损耗，从而提升系统效率并减少散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）仅为130nC左右，在高频PWM控制中可大幅降低驱动电路的功耗，尤其适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑如同步整流、半桥或全桥结构。
　　另一个关键特性是其出色的热性能表现。得益于TO-247封装的大面积金属背板设计，IRF8788能够实现高效的热传导，配合散热片可长时间承载高达150A的连续漏极电流。其最大结温可达175°C，具备优异的热稳定性，确保在高温环境下仍能安全运行。此外，该MOSFET具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和快速的反向恢复时间（trr=32ns），在与体二极管参与换流的应用中（如H桥或LLC谐振转换器）能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　安全性方面，IRF8788通过了严格的雪崩能量测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，提高了系统在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。同时，其引脚布局经过优化，减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的振铃现象。该器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，避免误触发或闩锁效应的发生。综合来看，IRF8788是一款兼顾低损耗、高电流能力和高可靠性的先进功率MOSFET，特别适用于追求小型化、高效化和长寿命的现代电力电子系统。

IRF8788广泛用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和通信设备中的大电流DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）架构中作为上下桥臂开关使用，因其低Rds(on)和良好热性能可显著提升转换效率并降低温升。此外，它也被广泛应用于工业电机驱动器，如伺服驱动、变频器和电动工具控制器中，用于实现精确的PWM调速控制。
　　在新能源领域，IRF8788可用于太阳能逆变器的直流侧开关单元或储能系统的双向DC-DC变换器中，支持高频率切换以减小磁性元件体积。在电动汽车充电桩、车载充电机（OBC）以及48V轻混系统中，该器件同样表现出色，能够承受频繁启停和大电流冲击。另外，在高端音频放大器、不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热装置中，IRF8788凭借其快速开关能力和低导通损耗成为理想选择。
　　由于其高电流处理能力和良好的热管理特性，IRF8788也常被用于大功率LED驱动电源和数字电源模块中，满足对动态响应速度和效率的双重需求。总之，任何需要高效、高可靠性和高电流承载能力的开关电源拓扑结构均可考虑采用IRF8788作为核心功率开关器件。

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　　 "IPB017N06N",
　　 "APT60S150L",
　　 "STW150N6F3L",
　　 "FDP150N65"
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