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IRF8714TRPBF 发布时间 时间:2025/5/29 2:43:01 查看 阅读:13

IRF8714TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沃特型功率场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。该器件采用 Trench 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够有效提高散热性能。
  该器件的设计注重效率和可靠性,能够在高频工作条件下提供优异的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:典型值 t_on=14ns,t_off=15ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF8714TRPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 使用 Trench 技术制造,降低了导通电阻并提高了效率。
  2. 具有较高的连续漏极电流能力,适合大功率应用。
  3. 栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度和更高的效率。
  4. 封装为 TO-252 (DPAK),具备良好的散热性能和易于安装的优势。
  5. 工作温度范围广,支持高温环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  这些特点使 IRF8714TRPBF 成为许多高性能功率转换应用的理想选择。

应用

IRF8714TRPBF 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  凭借其高效能和高可靠性,IRF8714TRPBF 在工业、消费类电子产品及汽车应用中均表现出色。

替代型号

IRF8713TRPBF, IXTY25N06L5

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IRF8714TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.7 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1020pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF8714TRPBFTR