IRF840I 时间：2025/12/29 14:43:02 阅读：14

IRF840I是一种常用的功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器和各种高功率电子电路中。这款MOSFET由Infineon Technologies公司生产，属于先进的功率MOSFET产品系列，具有低导通电阻、高耐压和快速开关性能。IRF840I采用TO-220封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合工业级应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8.0A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IRF840I具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源转换和开关控制。其次，导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能在高功率工作条件下保持稳定运行。
　　IRF840I的栅极驱动特性良好，栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。该MOSFET在高温环境下依然能维持稳定的性能，增强了其在恶劣工业环境中的可靠性。
　　封装方面，TO-220封装提供了良好的散热能力，并具有较强的机械强度，便于安装在散热器上，适用于需要长时间稳定工作的电源系统。

应用

IRF840I主要应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业控制设备。由于其高耐压和良好的导通性能，也常用于充电器、UPS系统、功率因数校正（PFC）电路以及各种电源管理模块中。在需要高效能、高稳定性的功率控制场合，IRF840I都是理想的选择。