IRF840BPBF 时间：2025/4/21 14:07:00 阅读：5

IRF840BPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装，具有较高的电流和电压处理能力，适用于各种开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度。

参数

最大漏源电压：500V
　　连续漏极电流：8A
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.9Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗：135W
　　结温范围：-55℃~+150℃

特性

1. 高耐压能力，能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压应用环境。
　　2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。
　　3. 快速开关速度，支持高频工作场合，降低开关损耗。
　　4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
　　5. 可靠性高，适合长时间运行的工业级应用。
　　6. 具有较低的输入电容和输出电容，从而优化了动态性能。
　　7. TO-220封装形式便于散热设计和电路板布局。

应用

1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中作为主开关元件。
　　2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。
　　3. 逆变器电路中的功率开关。
　　4. UPS（不间断电源）系统中的功率管理。
　　5. 电子负载和电池充电器中的功率控制。
　　6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　7. 照明应用，如LED驱动器和荧光灯镇流器。