IRF840B 时间：2025/3/26 8:41:22 阅读：25

IRF840B 是一款增强型 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频应用环境。
　　作为 IRF840 的改进版本，IRF840B 提供了更优的电气特性和更高的可靠性，能够承受较大的电流负载并具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：500V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：8A
　　功耗：105W
　　导通电阻：2.9Ω
　　总电荷量：35nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IRF840B 是一种高性能的 MOSFET，其主要特点包括：
　　1. 高耐压能力，支持高达 500V 的漏源电压，适用于高压电路环境。
　　2. 低导通电阻（2.9Ω 典型值）确保在高电流条件下减少能量损耗，提升效率。
　　3. 快速开关特性使得它非常适合高频应用场合，例如开关电源和脉宽调制电路。
　　4. 良好的热稳定性设计使其能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
　　5. 较小的封装体积有助于简化 PCB 布局设计，并且便于与其他元件集成。
　　6. 栅极阈值电压较低，易于驱动，可与逻辑电平信号直接连接。
　　7. 可靠性高，具备短路保护功能，能够在极端情况下提供额外的安全保障。

应用

IRF840B 广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
　　2. 直流电机控制及驱动电路。
　　3. 逆变器和 UPS 系统的关键组件。
　　4. 音频功率放大器的输出级，以实现高效能的声音输出。
　　5. LED 驱动电路，为大功率 LED 提供稳定电流。
　　6. 各类工业自动化设备中涉及高频切换或高电压处理的部分。
　　7. 太阳能微逆变器以及其他新能源相关电子装置。