IRF840B 是一款增强型 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高频应用环境。
作为 IRF840 的改进版本,IRF840B 提供了更优的电气特性和更高的可靠性,能够承受较大的电流负载并具备良好的散热性能。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:8A
功耗:105W
导通电阻:2.9Ω
总电荷量:35nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRF840B 是一种高性能的 MOSFET,其主要特点包括:
1. 高耐压能力,支持高达 500V 的漏源电压,适用于高压电路环境。
2. 低导通电阻(2.9Ω 典型值)确保在高电流条件下减少能量损耗,提升效率。
3. 快速开关特性使得它非常适合高频应用场合,例如开关电源和脉宽调制电路。
4. 良好的热稳定性设计使其能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 较小的封装体积有助于简化 PCB 布局设计,并且便于与其他元件集成。
6. 栅极阈值电压较低,易于驱动,可与逻辑电平信号直接连接。
7. 可靠性高,具备短路保护功能,能够在极端情况下提供额外的安全保障。
IRF840B 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 直流电机控制及驱动电路。
3. 逆变器和 UPS 系统的关键组件。
4. 音频功率放大器的输出级,以实现高效能的声音输出。
5. LED 驱动电路,为大功率 LED 提供稳定电流。
6. 各类工业自动化设备中涉及高频切换或高电压处理的部分。
7. 太阳能微逆变器以及其他新能源相关电子装置。
IRF840, IRFZ44N, STP80NF50