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IRF840B 发布时间 时间:2025/3/26 8:41:22 查看 阅读:5

IRF840B 是一款增强型 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高频应用环境。
  作为 IRF840 的改进版本,IRF840B 提供了更优的电气特性和更高的可靠性,能够承受较大的电流负载并具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:500V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:8A
  功耗:105W
  导通电阻:2.9Ω
  总电荷量:35nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF840B 是一种高性能的 MOSFET,其主要特点包括:
  1. 高耐压能力,支持高达 500V 的漏源电压,适用于高压电路环境。
  2. 低导通电阻(2.9Ω 典型值)确保在高电流条件下减少能量损耗,提升效率。
  3. 快速开关特性使得它非常适合高频应用场合,例如开关电源和脉宽调制电路。
  4. 良好的热稳定性设计使其能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  5. 较小的封装体积有助于简化 PCB 布局设计,并且便于与其他元件集成。
  6. 栅极阈值电压较低,易于驱动,可与逻辑电平信号直接连接。
  7. 可靠性高,具备短路保护功能,能够在极端情况下提供额外的安全保障。

应用

IRF840B 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 直流电机控制及驱动电路。
  3. 逆变器和 UPS 系统的关键组件。
  4. 音频功率放大器的输出级,以实现高效能的声音输出。
  5. LED 驱动电路,为大功率 LED 提供稳定电流。
  6. 各类工业自动化设备中涉及高频切换或高电压处理的部分。
  7. 太阳能微逆变器以及其他新能源相关电子装置。

替代型号

IRF840, IRFZ44N, STP80NF50

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IRF840B参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs53nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大134W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件