时间：2025/7/12 15:55:25
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IRF830P是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频应用环境。
IRF830P是IRF830的改进版本，在封装和电气特性上进行了优化以提高可靠性和散热性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：7A
栅极电荷：12nC
输入电容：1050pF
导通电阻：3.2Ω
功耗：20W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
IRF830P采用TO-247封装形式，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够有效减少功率损耗。
其开关速度快，有助于提升整体系统的效率，并且具备良好的热稳定性，适用于恶劣的工作环境。
此外，该器件支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产装配，同时提升了产品的耐用性与可靠性。
IRF830P主要应用于各种电力电子领域，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、逆变器、LED驱动器以及电磁阀控制电路。
在工业自动化设备中，它常被用作电机驱动的核心元件之一；在家用电器方面，例如空调压缩机驱动、冰箱风扇调速等方面也有广泛应用。
另外，由于其出色的高频性能，也适合用于音频放大器中的输出级驱动部分。
IRF830, IRF840, STP50NF06
