您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7907TRPBF

IRF7907TRPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:27:24 查看 阅读:15

IRF7907TRPBF 是一款 N 沣道沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用小型化的 PowerPAK SO-8 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高频和高效能应用场合。
  该 MOSFET 在设计上着重优化了其在便携式电子设备中的表现,包括电池供电系统、DC/DC 转换器以及负载开关等应用。其出色的电气特性和紧凑的封装使其成为现代电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻:42mΩ
  栅极电荷:6nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:PowerPAK SO-8

特性

IRF7907TRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻和快速的开关性能,这使得它在降低功耗方面表现出色。此外,其小型化封装提高了 PCB 布局的灵活性,并减少了寄生电感的影响。
  这款 MOSFET 还具备较高的雪崩击穿能力和 ESD 抗扰度,确保了其在恶劣环境下的可靠性。同时,其优异的热性能允许在较高的温度范围内稳定运行,非常适合对效率和空间有严格要求的设计。
  另外,由于其较低的栅极电荷和输入电容,可以实现更高的开关频率,从而减少磁性元件的体积和成本。

应用

IRF7907TRPBF 广泛应用于各种需要高效能和小尺寸的场景中,例如:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关
  2. DC/DC 转换器中的同步整流
  3. 开关电源(SMPS)
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 电机驱动和音频放大器
  这些应用都依赖于 IRF7907TRPBF 提供的高效开关和低损耗特性。

替代型号

IRLML6402TRPBF, SI2303DS

IRF7907TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7907TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7907TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.1A,11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.4 毫欧 @ 9.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7907TRPBF-NDIRF7907TRPBFTR