IRF7907PBF-1 时间：2025/12/26 21:06:03 阅读：10

IRF7907PBF-1是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能功率MOSFET器件，属于HEXFET系列。该器件采用先进的沟道技术制造，具有极低的导通电阻和高效率的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。IRF7907PBF-1为N沟道增强型场效应晶体管，封装形式为D-Pak（TO-252），适用于表面贴装安装方式，具备良好的热性能和可靠性，适合在工业控制、消费电子及通信设备中使用。其无铅（Pb-free）设计符合RoHS环保标准，增强了产品在现代绿色电子产品中的适用性。此外，该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统整体的安全性和耐用性。由于其优化的栅极电荷特性，IRF7907PBF-1在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗并提升电源转换效率。

参数

型号：IRF7907PBF-1
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：42A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：168A
　　导通电阻RDS(on)：最大5.3mΩ（@ VGS=10V, ID=21A）
　　阈值电压VGS(th)：典型值2.1V（范围1.8V~2.5V）
　　输入电容Ciss：典型值2800pF（@ VDS=15V）
　　输出电容Coss：典型值1050pF
　　反向恢复时间trr：典型值30ns
　　功率耗散PD：110W（Tc=25°C）
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
　　封装/包装：TO-252 (D-Pak)

特性

IRF7907PBF-1采用了英飞凌先进的沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时，最大仅为5.3mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于大电流应用场景，如同步整流、电池供电系统和高效率DC-DC变换器，能够有效减少发热并提高系统可靠性。
　　该器件具有优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），使其在高频开关操作中表现出更低的驱动损耗和更快的响应速度。这对于现代开关电源设计至关重要，尤其是在多相电压调节模块（VRM）或POL（Point-of-Load）转换器中，能够实现更高的转换频率和更小的外围元件尺寸，从而缩小整体PCB面积。
　　IRF7907PBF-1具备良好的热稳定性与鲁棒性，其最大结温可达+175°C，并支持高达110W的功率耗散能力（在理想散热条件下）。这使得它能在恶劣的工作环境中长期稳定运行。同时，器件经过优化设计，具有较强的抗雪崩击穿能力，可在意外过压或感性负载突变情况下提供额外保护，避免因瞬态电压尖峰导致的永久性损坏。
　　此外，该MOSFET采用D-Pak（TO-252）封装，具备优良的散热性能，便于通过PCB铜箔进行热传导，适用于自动化贴片生产工艺，满足大批量生产需求。其无铅（Pb-free）结构符合RoHS指令要求，体现了绿色环保设计理念，适用于对环境法规有严格要求的应用领域。

应用

IRF7907PBF-1广泛应用于多种电力电子系统中，特别适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。其中一个主要应用是同步降压型DC-DC转换器，在这类电路中，它常被用作主开关管或整流管，配合控制器实现高效的电压调节，常见于服务器电源、笔记本电脑主板和嵌入式电源模块中。
　　在电机驱动系统中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，凭借其低导通电阻和快速开关特性，可有效减少功耗并提升响应速度，适用于工业自动化设备、电动工具和家用电器等场景。
　　此外，IRF7907PBF-1也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为负载开关或保护开关使用，能够快速切断故障电流，防止电池过流或短路造成损害。其高电流承载能力和良好的热性能使其非常适合用于便携式设备和电动交通工具中的电源管理单元。
　　在电源热插拔（Hot-swap）电路中，该MOSFET可作为理想的背靠背配置开关，实现平稳的上电过程并限制浪涌电流，保障系统安全启动。同时，它也可用于OR-ing电路、冗余电源切换以及UPS不间断电源系统中，确保关键设备持续供电。