IRF7905TR是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的P沟道功率MOSFET,采用SO-8封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载切换电路以及电机驱动等场景中。其优化的导通电阻和低栅极电荷特性使得IRF7905TR在高频应用中表现出优异的效率与性能。
IRF7905TR的设计使其能够承受较高的连续漏极电流,并且具备较低的导通损耗,非常适合于要求高效能和高可靠性的电子系统。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:-3.6A
导通电阻(Rds(on)):12mΩ
栅源开启电压(Vgs(th)):-1.8V
栅极电荷(Qg):7nC
工作结温范围:-55℃ to +150℃
IRF7905TR具有以下关键特性:
1. 低导通电阻设计,有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,得益于低栅极电荷值,适合高频操作环境。
3. 小型化封装(SO-8),便于PCB布局和集成到紧凑型设计中。
4. 较宽的工作温度范围,确保在恶劣条件下仍能稳定运行。
5. 可靠性高,适用于汽车级和其他高性能工业应用。
IRF7905TR广泛应用于各种电力电子领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各种电机驱动应用,例如小型直流电机或步进电机控制。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
IRF7906TR, BSS84, SI4463DY