IRF7905TR 时间：2025/6/3 21:00:36 阅读：6

IRF7905TR是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的P沟道功率MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载切换电路以及电机驱动等场景中。其优化的导通电阻和低栅极电荷特性使得IRF7905TR在高频应用中表现出优异的效率与性能。
　　IRF7905TR的设计使其能够承受较高的连续漏极电流，并且具备较低的导通损耗，非常适合于要求高效能和高可靠性的电子系统。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：-3.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ
　　栅源开启电压（Vgs(th)）：-1.8V
　　栅极电荷（Qg）：7nC
　　工作结温范围：-55℃ to +150℃

特性

IRF7905TR具有以下关键特性：
　　1. 低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
　　2. 高速开关能力，得益于低栅极电荷值，适合高频操作环境。
　　3. 小型化封装（SO-8），便于PCB布局和集成到紧凑型设计中。
　　4. 较宽的工作温度范围，确保在恶劣条件下仍能稳定运行。
　　5. 可靠性高，适用于汽车级和其他高性能工业应用。

应用

IRF7905TR广泛应用于各种电力电子领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 负载切换和保护电路。
　　4. 电池管理系统中的充放电控制。
　　5. 各种电机驱动应用，例如小型直流电机或步进电机控制。
　　6. 汽车电子系统中的电源管理模块。