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IRF7904TRPBF 发布时间 时间:2025/5/29 1:55:40 查看 阅读:8

IRF7904TRPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 TO-263-3 封装形式。该器件以其低导通电阻和高效率而闻名,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等场景。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多高功率应用的理想选择。
  该 MOSFET 的核心特点是具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,它还支持较高的漏源电压,能够承受较大的电流负载,同时具备快速开关能力。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:89nC
  总电容:3350pF
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:TO-263-3

特性

IRF7904TRPBF 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,其主要特点包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(1.2mΩ 典型值),有助于降低功耗,提升整体效率。
  2. 高额定漏源电压(100V),适用于多种中高压应用场景。
  3. 支持高达 52A 的连续漏极电流,确保在大电流负载下稳定运行。
  4. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷(89nC 典型值),非常适合高频开关应用。
  5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 150℃),能够在极端环境下可靠工作。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代设计要求。
  这些特性使得 IRF7904TRPBF 成为需要高效功率管理与高电流承载能力的应用的理想选择。

应用

IRF7904TRPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制,用于工业自动化设备及家用电器。
  3. 电池管理系统 (BMS),特别是电动汽车和储能系统中的应用。
  4. 大功率 LED 驱动电路。
  5. 电信和服务器电源模块。
  6. 各类工业电子设备中的高效率功率转换解决方案。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,IRF7904TRPBF 在这些应用中表现出色,提供卓越的性能和可靠性。

替代型号

IRF7904,
  STP55NF06,
  INFINEON IPP050N10N3

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IRF7904TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A,11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.2 毫欧 @ 7.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds910pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W,2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7904TRPBF-NDIRF7904TRPBFTR