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IRF7855TRPBF 发布时间 时间:2025/5/21 13:00:50 查看 阅读:3

IRF7855TRPBF 是一款 N 沫道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件专为高效率、高频开关应用而设计,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。IRF7855TRPBF 使用了 Vishay 的 HEXFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低传导损耗和开关损耗。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3(D2PAK),支持表面贴装技术(SMT),有助于提高电路板的可靠性和散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:51A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:98nC(典型值)
  输入电容:4000pF(典型值)
  总功耗:235W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3(D2PAK)

特性

IRF7855TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,减少了开关过程中的能量损失。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 稳定的工作温度范围,能够在恶劣环境下正常运行。
  6. 表面贴装封装设计,便于自动化生产和优化热管理。
  7. 内置反并联二极需要快速恢复的应用场景。

应用

IRF7855TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 负载切换和保护电路
  5. 工业自动化设备
  6. 电动汽车及混合动力汽车中的功率控制模块
  7. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块

替代型号

IRF7855GTRPBF, IRF7855DPBF

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IRF7855TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.4 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7855TRPBF-NDIRF7855TRPBFTR