IRF7854TR 时间：2025/5/7 19:32:14 阅读：5

IRF7854TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高效率、高频开关电源和电机驱动电路中。该器件采用 TO-263 封装，具有低导通电阻、快速开关速度和较高的电流处理能力。其出色的性能使其成为许多电力电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：98A
　　导通电阻（典型值）：1.4mΩ
　　栅极电荷（典型值）：49nC
　　总电容（输入电容）：1940pF
　　开关时间：ton=11ns, toff=22ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7854TR 是一款专为高效率电力转换设计的 MOSFET。其主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，支持高达 98A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，适合高频开关应用，减少开关损耗。
　　4. 较高的漏源击穿电压（60V），保证在高电压环境下可靠运行。
　　5. 小巧紧凑的 TO-263 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
　　6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。

应用

IRF7854TR 主要用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器和功率因数校正（PFC）电路。
　　2. 直流-直流转换器和逆变器。
　　3. 高效电机驱动电路。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。