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IRF7842TR 发布时间 时间:2025/6/23 23:56:52 查看 阅读:4

IRF7842TR 是一款 N 沪道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay International Rectifier 提供。该器件采用 TO-252 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。其主要特点包括低导通电阻、高效率和快速开关特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极驱动电压:±20V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:3.5mΩ
  总功耗:39W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252

特性

IRF7842TR 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高系统效率。
  其次,它具备出色的热稳定性,能够在较高的环境温度下可靠运行。
  此外,这款 MOSFET 具有较低的输入和输出电容,有助于实现快速开关性能,减少开关损耗。
  它的高雪崩能量能力也使其在严苛的应用环境中表现出色,提高了系统的整体可靠性。
  该器件还符合 RoHS 标准,适合环保设计需求。

应用

IRF7842TR 适用于多种领域,包括但不限于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、电池管理、电机控制、负载开关等应用。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,特别适合高频开关应用,如电信设备、工业自动化以及消费类电子产品中的电源管理部分。

替代型号

IRF7843TR, IRF7844TR

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IRF7842TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)