IRF7835U 时间：2025/5/23 8:22:27 阅读：5

IRF7835U是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用逻辑电平驱动设计，适用于多种高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高效率并降低功耗。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)的应用场景。
　　该器件广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域，特别适合于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用场合。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：39A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：48nC
　　总电容（输入电容）：1250pF
　　最大工作结温：175°C
　　封装类型：TO-252(DPAK)
　　逻辑电平驱动：是

特性

IRF7835U具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻(典型值1.4mΩ)，可有效降低导通损耗。
　　2. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
　　4. 采用逻辑电平驱动设计，便于与低压控制器配合使用。
　　5. 小型化DPAK封装，支持高效散热及高密度电路板设计。
　　6. 宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)，适用于各种恶劣环境。

应用

IRF7835U适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器的核心开关元件。
　　3. 各类电机驱动电路，包括无刷直流电机(BLDC)控制。
　　4. 负载开关和保护电路。
　　5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
　　6. 工业自动化设备中的高频功率转换模块。