时间：2025/6/19 1:50:19
阅读：2
IRF7811WTR是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。
这款MOSFET的额定电压为60V，能够承受较高的漏极电流，并且在高频开关应用中表现出优异的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：125A
导通电阻：1.3mΩ（典型值，于Vgs=10V时）
栅极电荷：46nC（典型值）
输入电容：3590pF（典型值）
总功耗：275W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF7811WTR具有非常低的导通电阻，可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
其封装形式TOLL具备出色的热性能，适合高功率密度的应用场景。
该器件的快速开关特性使其能够在高频应用中保持较低的开关损耗。
MOSFET内部集成了防静电保护电路，增强了产品的可靠性。
此外，它还支持并联使用以进一步提升电流承载能力。
IRF7811WTR适用于多种大电流、高频开关场合，包括但不限于：
高性能开关电源（SMPS）
工业电机控制与驱动
DC-DC转换器中的同步整流
电动车及混合动力汽车中的功率管理
不间断电源（UPS）系统
焊接设备和其他需要高效功率转换的场景
IRFB7811TRPbF
