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IRF7811AVTRPBF 发布时间 时间:2025/5/21 20:46:38 查看 阅读:2

IRF7811AVTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管。该器件采用了先进的制程技术,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。其封装形式为TO-263-3(D2PAK),具有较大的散热面积,能够有效降低热阻,提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:ton=13ns, toff=15ns
  功耗:240W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF7811AVTRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))仅为5.5mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,其极小的栅极电荷和快速的开关时间确保了高效的开关操作,同时减少了开关损耗。
  3. 宽广的工作温度范围从-55℃到+175℃,使其能够在极端环境下可靠运行。
  4. 采用TO-263-3(D2PAK)封装,这种封装方式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
  5. 高额定电流(40A)和较高的漏源电压(60V),使其适用于多种高压和大电流的应用场景。

应用

IRF7811AVTRPBF广泛应用于各种电力电子设备中,主要应用场景包括:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器的核心功率级元件。
  3. 电机驱动中的桥式电路或半桥拓扑结构。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. 工业控制和汽车电子系统中的功率管理模块。

替代型号

IRF7812PBF, IRF7813PBF, IRF7814PBF

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IRF7811AVTRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 15A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1801pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7811AVPBFTRIRF7811AVTRPBF-NDIRF7811AVTRPBFTR-ND