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IRF7811AVTR 发布时间 时间:2025/6/16 19:42:36 查看 阅读:31

IRF7811AVTR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用小型化的TO-263-3封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景,其出色的电气性能和高可靠性使其在各类工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。
  IRF7811AVTR的工作电压范围为20V,能够承受较高的电流负荷,具有低导通电阻的特点,从而减少了传导损耗,提高了效率。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:54A
  脉冲漏极电流:98A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:3300pF
  开关时间:典型开启时间12ns,典型关闭时间29ns

特性

IRF7811AVTR具备以下显著特性:
  1. 高电流处理能力:该器件支持高达54A的连续漏极电流,能够满足大功率应用需求。
  2. 低导通电阻:仅为3.5mΩ(典型值),可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
  3. 快速开关性能:通过优化设计,开关时间短,有助于减少开关损耗。
  4. 小型化封装:TO-263-3封装体积小,便于安装在紧凑型电路板上。
  5. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。

应用

IRF7811AVTR广泛适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括AC/DC适配器、充电器以及分布式电源系统。
  2. 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机驱动以及其他类型的电机控制。
  3. 负载切换:在便携式设备中作为负载开关使用。
  4. 工业自动化:如工厂自动化设备中的功率转换模块。
  5. 汽车电子:如电动车窗、雨刷器控制及照明系统等。

替代型号

IRF7810, IRF7812, IRF7813

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IRF7811AVTR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 15A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1801pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)