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IRF7749L1TRPBF 发布时间 时间:2025/5/12 13:58:42 查看 阅读:7

IRF7749L1TRPBF 是一款 N 沛体 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用 Logic Level 设计,能够以较低的栅极驱动电压实现高效导通。它广泛应用于功率转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效率和低功耗的场景中。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,并具有出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  栅极阈值电压:1.3V 至 2.2V
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:10W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF7749L1TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 支持低至 4.5V 的栅极驱动电压,非常适合电池供电的应用。
  3. 高电流承载能力,能够满足大功率应用需求。
  4. 快速开关速度,降低开关损耗。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 具备良好的雪崩能力和热稳定性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  这些特性使得 IRF7749L1TRPBF 成为高性能功率管理应用的理想选择。

应用

IRF7749L1TRPBF 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,尤其是高效率降压转换器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统,如启停系统和辅助电源模块。
  5. 工业自动化设备中的负载控制和保护。
  6. 电池管理系统中的充放电控制。
  其低导通电阻和高电流能力使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRF7749TRPBF, IRF7749LPBF

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IRF7749L1TRPBF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥39.99000剪切带(CT)4,000 : ¥20.08249卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A(Ta),200A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 毫欧 @ 120A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)300 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12320 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.3W(Ta),125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DirectFET? 等距 L8
  • 封装/外壳DirectFET? 等距 L8