时间：2025/12/23 22:49:13
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IRF7739L2TRPBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen IV 技术。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载点转换器、电机驱动以及电池供电设备等应用。
此型号是表面贴装器件 (SMD)，采用 SuperSO8 封装形式，有助于提高功率密度并降低整体解决方案的成本。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：51A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：26nC（典型值）
反向恢复电荷：35nC（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SuperSO8
IRF7739L2TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，能够显著降低开关损耗。
4. 强大的热性能，得益于 SuperSO8 封装的卓越散热设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子产品的制造需求。
6. 稳定的工作温度范围，支持在极端环境下运行。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 各种 DC-DC 转换器和负载点转换器。
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路。
4. 开关电源 (SMPS) 和 UPS 系统。
5. 工业自动化设备中的功率级模块。
6. 通信基础设施中的高效功率传输组件。
IRF7739L2TRPBF, IRF7739L2TRPBF
