IRF7626TRPBF 时间：2025/7/9 10:40:07 阅读：4

IRF7626TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SO-8 封装形式，适合高频开关应用和功率转换电路。IRF7626TRPBF 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
　　这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：31A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　总栅极电荷：39nC
　　输入电容：1400pF
　　输出电容：120pF
　　反向传输电容：18pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C

特性

IRF7626TRPBF 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高开关速度，得益于其较小的总栅极电荷 (Qg)，可适应高频应用。
　　3. 较高的漏极电流能力，使其能够在高功率密度设计中使用。
　　4. 优化的热性能和封装设计，有助于散热管理。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设备的要求。
　　6. 稳定的电气性能和可靠性，适合各种工业及消费类应用场景。

应用

IRF7626TRPBF 可广泛用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　3. 电机驱动和控制电路，例如步进电机或无刷直流电机驱动。
　　4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　5. 消费类电子产品中的高效功率管理方案。
　　6. 其他需要高性能功率 MOSFET 的场合。