时间:2025/12/26 18:51:44
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IRF7626是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能、低电压、N沟道功率MOSFET器件,广泛应用于高效率开关电源和DC-DC转换器中。该器件采用先进的沟槽技术制造,能够提供极低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,适合在空间受限且对热性能要求较高的应用中使用。IRF7626通常集成于SO-8或类似的小型表面贴装封装中,具有良好的热传导能力,便于在PCB上实现紧凑布局。该MOSFET设计用于工作在低栅极驱动电压下(如4.5V或2.5V),使其特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景,例如同步整流、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的电源管理模块。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统整体能效。此外,IRF7626具备优良的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力,增强了系统在恶劣工作环境下的可靠性。器件还具备低输入和输出电容,有助于降低高频工作时的驱动功耗和电磁干扰(EMI)。由于其出色的电气特性和封装热性能,IRF7626被广泛用于通信设备、便携式电子产品、计算机主板、服务器电源及工业控制系统等对效率和尺寸有严格要求的场合。
型号:IRF7626
制造商:Infineon Technologies
器件类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30 V
最大连续漏极电流(ID):18 A(@TC=25°C)
最大脉冲漏极电流(IDM):72 A
最大栅源电压(VGS):±20 V
导通电阻RDS(on):典型值4.5 mΩ(@VGS=4.5 V)
导通电阻RDS(on):典型值6.0 mΩ(@VGS=2.5 V)
阈值电压(VGS(th)):0.8 V ~ 1.5 V
输入电容(Ciss):约900 pF(@VDS=15 V)
输出电容(Coss):约350 pF
反向传输电容(Crss):约80 pF
栅极电荷(Qg):约12 nC(@VGS=4.5 V)
开启延迟时间(td(on)):约6 ns
上升时间(tr):约30 ns
关断延迟时间(td(off)):约25 ns
下降时间(tf):约15 ns
功率耗散(PD):约2.5 W(@TA=25°C)
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
封装类型:SO-8(含散热焊盘)
IRF7626采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术,实现了极低的导通电阻与卓越的开关性能之间的良好平衡。该器件在4.5V栅极驱动电压下可实现低至4.5mΩ的RDS(on),而在更低的2.5V驱动条件下仍能保持6.0mΩ的优异水平,这使得它非常适合用于由低压逻辑信号直接控制的同步整流电路中,显著降低了传导损耗并提高了电源系统的整体效率。其低阈值电压特性确保了器件能够在较低的VGS下快速开启,从而增强对动态负载变化的响应能力。器件的输入、输出和反向传输电容均经过优化设计,有效减少了高频开关过程中的驱动损耗和串扰,有助于提升开关速度并降低电磁干扰,适用于高频率工作的DC-DC变换器拓扑结构,如Buck、Boost和同步整流应用。
IRF7626的封装设计包含底部散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层,极大提升了器件的热管理能力,使其在有限的空间内也能承受较高的持续电流。该MOSFET具备较强的雪崩耐量和抗短时过压能力,能够在电源异常或负载突变情况下维持稳定运行,增强了整个系统的鲁棒性。此外,器件符合RoHS环保标准,无卤素,支持绿色电子制造流程。其高可靠性的材料体系和严格的生产控制流程确保了产品在工业级温度范围内长期稳定工作,适用于严苛环境下的电力电子系统。通过优化的寄生参数设计,IRF7626还能有效抑制米勒效应引起的误触发,提升在高dV/dt环境下的工作稳定性。
IRF7626广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的多相Buck转换器,作为上下管MOSFET参与电压调节模块(VRM)的设计,实现处理器核心供电的高效转换。在服务器和台式机主板中,该器件常用于CPU/GPU供电电路,支持高电流输出和快速瞬态响应需求。此外,IRF7626也适用于各类DC-DC模块电源、POL(Point-of-Load)转换器、LED驱动电源以及电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
在工业自动化和通信基础设施领域,该MOSFET可用于隔离式和非隔离式开关电源的次级侧同步整流,替代传统肖特基二极管以大幅降低导通损耗,提升能效。其快速开关能力也使其适用于电机驱动电路中的H桥拓扑结构,实现对小功率直流电机或步进电机的精确控制。在热插拔控制器和负载开关电路中,IRF7626凭借其低导通电阻和可控的开启/关闭特性,可有效限制浪涌电流,保护后级电路免受冲击。同时,该器件还可用于USB PD电源适配器、无线充电发射端以及无人机电源系统等新兴消费类电子产品中,满足对高功率密度和轻量化设计的需求。
IRLHS6262
SI4406ADY-T1-E3
AO4406A
FDS6680A
NVMFS4C03NL