类型：P沟道
　　配置：双通道（Dual N-Channel不适用，此处为双P-MOSFET）
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（单通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：-28mΩ @ VGS = -10V；-35mΩ @ VGS = -4.5V；-42mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：约600pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SO-8

IRF7604采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。尤其是在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，从而延长了电池使用寿命并减少了散热需求。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为35mΩ，在VGS = -2.5V时仍能保持42mΩ的低阻值，说明其具有出色的逻辑电平驱动能力，非常适合由低压微控制器直接驱动的应用场景。
　　双通道设计使得IRF7604可以在单个封装内实现两个独立的电源开关功能，节省了PCB布局空间，同时简化了电路设计复杂度。每个通道均可独立控制，适用于多路电源分配或冗余电源管理架构。器件的快速开关响应特性使其能够胜任高频开关操作，如同步整流或PWM调光控制，减少开关过程中的交越损耗。
　　热稳定性方面，IRF7604表现出良好的温度系数一致性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能。其最大结温可达+150°C，并配备有优良的热传导路径，通过SO-8封装底部的散热焊盘可有效将热量传递至PCB地层，进一步提升功率处理能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
　　内置的体二极管提供了必要的反向电流路径，尤其在驱动继电器、电机或其他感性负载时，能够在关断瞬间为感应电动势提供泄放回路，防止电压尖峰损坏其他元件。这种集成保护机制增强了系统的鲁棒性，减少了对外部保护二极管的需求，有助于降低整体物料成本和设计复杂度。

IRF7604广泛用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。在移动消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和便携式游戏机，它常被用作电池与主处理器之间的电源通断开关，实现“软启动”和待机节能功能。当设备进入休眠模式时，可通过关闭MOSFET切断不必要的供电支路，显著降低静态功耗。
　　在笔记本电脑的电源管理系统中，IRF7604可用于AC适配器输入与电池充电电路之间的切换控制，确保在插拔电源时实现无缝电源路径转移，避免系统掉电或倒灌现象。此外，它也适用于USB电源开关、背光LED驱动电路中的电流控制，以及各类DC-DC降压或升压变换器中的同步整流环节。
　　工业控制领域中，该器件可用于PLC模块中的信号切换、传感器供电控制或小型继电器驱动电路。由于其具备较强的抗干扰能力和宽工作温度范围，能够在恶劣环境中稳定运行。在汽车电子中，虽然非车规级版本不可直接用于关键安全系统，但可应用于车载信息娱乐系统的辅助电源管理或后排座椅充电接口的过流保护。
　　另外，IRF7604还可作为高端开关用于H桥电机驱动电路中，配合N沟道MOSFET使用，完成方向控制和制动功能。其快速响应和低导通损耗特性有助于提高电机驱动效率，减少发热问题。总体而言，该器件凭借其高集成度、小尺寸和高性能，成为现代低电压、中等电流开关应用的理想选择。

[
　　 "IRF7604PBF",
　　 "IRLML6402",
　　 "Si3486DV",
　　 "AO3415",
　　 "FDMC8878"
　　]