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IRF7530TR 发布时间 时间:2025/5/7 18:48:40 查看 阅读:11

IRF7530TR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-264封装形式。该器件广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功耗并提高系统效率,同时具备较高的电流承载能力,适用于中高功率应用领域。
  IRF7530TR的内部结构基于先进的Trench MOS技术,从而实现了较低的导通损耗和快速的开关性能。此外,它还具有良好的雪崩能力和热稳定性,确保在恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:98A
  导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:70nC(典型值)
  反向恢复时间:45ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7530TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升整体效率。
  2. 高电流处理能力,可支持高达98A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 较低的栅极电荷和反向恢复时间,进一步优化了动态性能。
  这些特性使IRF7530TR成为多种电力电子应用的理想选择,例如工业设备中的电源管理模块或汽车电子系统的驱动电路。

应用

IRF7530TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
  2. 降压和升压型DC-DC转换器。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 工业自动化和机器人技术中的大功率开关组件。
  由于其出色的电气特性和耐用性,IRF7530TR特别适合需要高效能量转换及稳定输出的应用场景。

替代型号

IRF7530G, IRF7530PBF

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IRF7530TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 5.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1310pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装Micro8?
  • 包装带卷 (TR)