IRF7504 时间：2025/12/26 19:41:45 阅读：7

IRF7504是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在低电压应用中提供卓越的性能和效率。IRF7504特别适合在电池供电设备、便携式电子产品以及需要高集成度和小尺寸封装的应用中使用。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、良好的热稳定性和高可靠性，使其成为许多现代电子系统中的理想选择。该器件通常用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及各类保护电路中，支持高效的能量传输与管理。由于其P沟道结构，在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现简单的驱动方式，从而简化了整体设计并降低了系统成本。此外，IRF7504采用了小型化的封装形式，如SO-8或PowerSO-8，有助于节省PCB空间，适用于对体积敏感的设计需求。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-15A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -4.5V：28mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -2.5V：40mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -1.8V：55mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值约12ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SO-8, PowerSO-8

特性

IRF7504具备优异的电气性能和热稳定性，采用先进的沟槽栅极工艺，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。其关键特性之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时最大仅为28mΩ，这使得器件在大电流条件下仍能保持较低的功耗，减少发热，提高系统可靠性。这一特性尤其适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，该器件在低栅极驱动电压下仍能良好工作，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)仅为40mΩ，支持宽范围的逻辑电平驱动，兼容3.3V或更低电压的微控制器输出，无需额外电平转换电路。
　　IRF7504还具有出色的开关速度，输入电容仅为520pF，降低了驱动电路的负载，加快了开关响应时间，适用于高频开关应用如同步整流和DC-DC变换器。其反向恢复时间较短，约为12ns，有助于减小体二极管反向恢复带来的开关损耗和电磁干扰问题，提升系统效率。此外，器件内置的体二极管可承受一定的反向电流应力，增强了在感性负载应用中的鲁棒性。
　　在可靠性方面，IRF7504的工作结温范围为-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期运行。其封装采用符合RoHS标准的材料，并具备良好的散热性能，特别是在PowerSO-8封装中，通过裸露焊盘有效传导热量，进一步提升功率处理能力。该器件还具备高抗雪崩能力和优秀的ESD防护性能，能够在瞬态过压和静电放电情况下保持稳定工作，减少现场故障率。总体而言，IRF7504是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于多种电源管理场合。

应用

IRF7504广泛应用于便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池保护电路和电源路径控制。它也常用于DC-DC降压或升压转换器中作为高端开关，因其P沟道特性无需复杂驱动电路即可实现高效控制。此外，该器件适用于各类电机驱动模块，特别是小型直流电机和步进电机的控制电路中，提供快速响应和低功耗操作。在工业控制领域，IRF7504可用于继电器替代方案、固态开关和热插拔控制器中，实现无触点切换和过流保护功能。其小型化封装也使其成为空间受限应用的理想选择，如穿戴式设备、物联网传感器节点和无线通信模块中的电源管理单元。