时间：2025/5/8 14:21:20
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IRF7503TRPBF是一款由Infineon（英飞凌）制造的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用Trench技术设计，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种功率转换应用。IRF7503TRPBF采用了PowerPAK SO-8封装形式，这种封装方式有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。
该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极-源极电压：±20V
总功耗：90W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：PowerPAK SO-8
IRF7503TRPBF具备低导通电阻和高电流承载能力，这使其在功率应用中能够显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
其Trench技术使得单位面积内的电流密度更高，并且拥有更快的开关速度。
此外，由于采用了PowerPAK SO-8封装，它还提供了出色的热性能和电气性能，非常适合高频和大电流的应用场景。
该器件还支持较宽的工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用需求。
IRF7503TRPBF主要用于需要高效功率转换和大电流处理能力的场合，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- 负载切换模块
- 工业控制设备
- 汽车电子系统中的功率管理部分
IRF7503GTRPBF
