型号：IRF7491TRPBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：35 A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：14 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：20 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=2.5V：26 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2 V，范围1.0～2.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 500 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 150 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-8（SO-8）
　　安装方式：表面贴装
　　是否符合RoHS：是

IRF7491TRPBF具备多项优异的技术特性，使其成为高效功率转换应用的理想选择。首先，其采用的先进沟道TrenchMOS技术显著降低了导通电阻RDS(on)，即使在低栅极驱动电压（如4.5V或2.5V）下仍能保持较低的导通损耗，这使得它特别适用于由低压控制器直接驱动的应用场景。例如，在同步整流拓扑中，PWM控制器输出的逻辑电平可以直接用于驱动该MOSFET，无需额外的电平移位或驱动电路，从而简化了整体设计并提高了系统效率。
　　其次，该器件具有非常快的开关速度和较低的寄生电容（包括输入电容Ciss和输出电容Coss），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源系统的转换效率，尤其是在高频开关电源中表现突出。同时，较短的反向恢复时间（trr）意味着体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少，有效抑制了电压尖峰和电磁干扰，提升了系统的可靠性和EMI性能。
　　再者，IRF7491TRPBF内置了一个优化设计的肖特基势垒二极管（SBD），与传统的体二极管相比，该二极管具有更低的正向导通压降和更快的响应速度，能够在死区时间内提供高效的续流路径，进一步降低传导损耗，尤其在轻载或动态负载变化情况下优势明显。这种集成设计不仅节省了PCB空间，还避免了外接肖特基二极管所带来的额外成本和布局复杂性。
　　此外，该器件采用SO-8封装，具有良好的热传导性能，可通过PCB上的散热焊盘将热量有效传递出去，支持较高的功率密度设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）保证了在恶劣环境下的长期稳定性。所有这些特性共同使IRF7491TRPBF在小型化、高效率和高可靠性要求的应用中脱颖而出。

IRF7491TRPBF广泛应用于各类需要高效能功率开关的场合，尤其适合用于同步整流电路中作为主整流元件。典型应用包括隔离式DC-DC变换器的副边同步整流，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等，用于替代传统肖特基二极管以大幅降低整流损耗，提升整体电源效率。此外，它也常用于非隔离式同步降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，作为低侧或高侧开关使用，特别是在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中。
　　在电信和网络设备电源模块中，IRF7491TRPBF因其高效率和小尺寸封装而被广泛采用，有助于实现更高功率密度和更低温升的设计目标。工业控制系统中的电机驱动、LED照明电源以及USB-PD适配器等也是其常见应用场景。由于其支持低电压驱动，因此可与多种PWM控制器或数字电源管理IC无缝配合，构建智能化、高响应速度的电源解决方案。此外，该器件还可用于电池充电管理电路、热插拔控制器以及负载开关等需要快速开关和低导通阻抗的场合。凭借其高可靠性与一致性，IRF7491TRPBF已成为许多高端电源设计中的首选MOSFET之一。

Si4401DY-T1-GE3
　　AO4401A
　　FDS6670A
　　FDMF3171
　　NVMFS4C03N