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IRF7490TRPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:21:44 查看 阅读:25

IRF7490TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有较低的导通电阻和出色的开关性能。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),适用于需要高效率和低损耗的应用场景。
  该器件广泛应用于直流电机驱动、负载开关、电源管理以及 D 类音频放大器等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7490TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,能够支持高达 58A 的连续漏极电流。
  3. 良好的热稳定性,能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内正常工作。
  4. 提供卓越的开关性能,适合高频应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 使用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术,提供更高的功率密度和更小的封装尺寸。
  7. 内部二极管反向恢复时间短,可减少开关过程中的能量损失。

应用

IRF7490TRPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 计算机和服务器中的负载开关。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  5. D 类音频放大器中的输出级开关。
  6. 工业自动化设备中的功率控制。
  7. 汽车电子系统中的大电流开关。

替代型号

IRF7490TRPBF, IRF7491TRPBF, IRF7492TRPBF

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IRF7490TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 3.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1720pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7490TRPBF-NDIRF7490TRPBFTR