时间：2025/7/1 23:21:44
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IRF7490TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有较低的导通电阻和出色的开关性能。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），适用于需要高效率和低损耗的应用场景。
该器件广泛应用于直流电机驱动、负载开关、电源管理以及 D 类音频放大器等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：58A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF7490TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，能够支持高达 58A 的连续漏极电流。
3. 良好的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内正常工作。
4. 提供卓越的开关性能，适合高频应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 使用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，提供更高的功率密度和更小的封装尺寸。
7. 内部二极管反向恢复时间短，可减少开关过程中的能量损失。
IRF7490TRPBF 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 计算机和服务器中的负载开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. D 类音频放大器中的输出级开关。
6. 工业自动化设备中的功率控制。
7. 汽车电子系统中的大电流开关。
IRF7490TRPBF, IRF7491TRPBF, IRF7492TRPBF
