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IRF7484TRPBF 发布时间 时间:2025/6/28 22:23:14 查看 阅读:6

IRF7484TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252-3封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。由于其低导通电阻和快速开关特性,IRF7484TRPBF非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
  这款MOSFET的耐压能力为60V,具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷:13nC
  总电容(Ciss):2280pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TO-252-3

特性

IRF7484TRPBF的主要特性包括以下几点:
  1. 高电流承载能力:高达41A的连续漏极电流使得它能够适应高功率的应用场景。
  2. 极低的导通电阻:在Vgs=10V时,典型导通电阻仅为3.9mΩ,这极大地减少了导通状态下的功耗。
  3. 快速开关性能:通过优化的结构设计,其栅极电荷仅有13nC,从而实现更高效的开关操作。
  4. 宽温度范围:支持从-55℃到175℃的工作温度区间,适合极端环境下的使用需求。
  5. 高可靠性:采用坚固耐用的设计,并具备良好的抗电磁干扰能力。

应用

IRF7484TRPBF适用于多种电力电子应用领域,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动:作为H桥或其他拓扑结构中的功率开关,驱动直流无刷电机或步进电机。
  3. 负载开关:在便携式设备中控制不同负载的通断。
  4. 过流保护:利用其快速响应能力和低导通电阻特性,在过流保护电路中提供精确控制。
  5. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等对功率和效率有严格要求的应用场景。

替代型号

IRF7485TRPBF, IXTK40N06L2, FDP028N06S

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IRF7484TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 14A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 7V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3520pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7484TRPBF-NDIRF7484TRPBFTR