IRF7484TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252-3封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。由于其低导通电阻和快速开关特性,IRF7484TRPBF非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
这款MOSFET的耐压能力为60V,具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗并提高整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:41A
导通电阻(典型值):3.9mΩ
栅极电荷:13nC
总电容(Ciss):2280pF
工作结温范围:-55℃ to 175℃
封装类型:TO-252-3
IRF7484TRPBF的主要特性包括以下几点:
1. 高电流承载能力:高达41A的连续漏极电流使得它能够适应高功率的应用场景。
2. 极低的导通电阻:在Vgs=10V时,典型导通电阻仅为3.9mΩ,这极大地减少了导通状态下的功耗。
3. 快速开关性能:通过优化的结构设计,其栅极电荷仅有13nC,从而实现更高效的开关操作。
4. 宽温度范围:支持从-55℃到175℃的工作温度区间,适合极端环境下的使用需求。
5. 高可靠性:采用坚固耐用的设计,并具备良好的抗电磁干扰能力。
IRF7484TRPBF适用于多种电力电子应用领域,主要包括:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:作为H桥或其他拓扑结构中的功率开关,驱动直流无刷电机或步进电机。
3. 负载开关:在便携式设备中控制不同负载的通断。
4. 过流保护:利用其快速响应能力和低导通电阻特性,在过流保护电路中提供精确控制。
5. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等对功率和效率有严格要求的应用场景。
IRF7485TRPBF, IXTK40N06L2, FDP028N06S