IRF7484QTRPBF 时间：2025/6/17 6:48:01 阅读：5

IRF7484QTRPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用了先进的功率MOSFET技术，适用于高频开关应用和负载切换等场景。它具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能，非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他功率电子设备中。

参数

型号：IRF7484QTRPBF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-Leadless (TOLL)
　　VDS（漏源极电压）：100V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：3.5mΩ
　　IDS（连续漏极电流）：125A
　　栅极电荷（Qg）：65nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　功耗：48W

特性

IRF7484QTRPBF是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：在典型条件下仅为3.5mΩ，从而显著降低传导损耗。
　　2. 快速开关速度：由于较低的栅极电荷（65nC），使得该器件在高频应用中表现出色。
　　3. 高电流承载能力：支持高达125A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
　　4. 良好的热稳定性：能够在高达175℃的工作温度下稳定运行。
　　5. 小型化设计：采用TO-Leadless (TOLL)封装，有助于减少PCB空间占用，并改善散热性能。
　　6. 可靠性高：符合车规级标准（AEC-Q101认证），确保在严苛环境下长期使用。

应用

IRF7484QTRPBF广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统：如车载充电器、DC-DC转换器、电机控制器等。
　　2. 工业设备：包括逆变器、不间断电源（UPS）、伺服驱动器等。
　　3. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、无线充电器、LED驱动器等。
　　4. 通信设备：基站电源模块、路由器供电电路等。
　　5. 其他需要高效功率转换和控制的场合。