时间：2025/12/26 18:42:06
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IRF7484是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的Trench MOSFET技术制造，能够在低电压和中等电流条件下提供卓越的导通性能和开关特性。由于其优化的工艺结构，IRF7484具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗并提高了系统整体效率。该MOSFET通常用于同步整流、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换器等场合。其封装形式为SO-8（Small Outline 8-pin），具备良好的热性能与空间利用率，适用于紧凑型电子设备的设计需求。
IRF7484的工作温度范围宽广，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行，适合工业级和汽车级应用场景。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，提升了在实际生产装配过程中的可靠性。由于采用了P沟道结构，在栅极驱动方面无需额外的电荷泵电路即可实现上桥臂或高端开关控制，简化了电源拓扑设计，降低了系统成本。总体而言，IRF7484是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，广泛应用于便携式电子产品、通信模块及嵌入式控制系统中。
型号：IRF7484
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-7.9A @ TC=25°C
脉冲漏极电流（IDM）：-31A
导通电阻（RDS(on) max）：22mΩ @ VGS = -10V
导通电阻（RDS(on) max）：30mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on) typ）：18mΩ @ VGS = -10V
阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.3V
输入电容（Ciss）：800pF @ VDS=15V
输出电容（Coss）：600pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：28ns
二极管正向电压（VSD）：-1.2V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SO-8
IRF7484采用先进的TrenchMOS工艺技术，这种深沟槽结构使得单位面积内的沟道密度显著提升，从而有效降低导通电阻RDS(on)，同时保持较高的击穿电压能力。在VGS=-10V时，典型RDS(on)仅为18mΩ，最大值也不超过22mΩ；而在标准逻辑电平驱动下（如VGS=-4.5V），其RDS(on)仍可控制在30mΩ以内，这使其非常适合用于需要高效能、低功耗的电源管理系统中。该器件的低阈值电压范围（-1.0V至-2.3V）确保了良好的开启一致性，并支持精确的栅极驱动控制，避免因阈值波动导致的误触发问题。
另一个关键优势是其出色的开关速度表现。得益于较低的输入和输出电容（Ciss=800pF, Coss=600pF），IRF7484能够实现快速的开关响应，减少开关过渡期间的能量损耗，特别适用于高频PWM调制环境下的DC-DC变换器或同步整流拓扑。此外，较短的反向恢复时间（trr=28ns）意味着体二极管在换流过程中表现出更小的反向恢复电荷，有助于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
IRF7484还具备良好的热稳定性和长期可靠性。SO-8封装不仅节省PCB空间，而且通过优化引脚布局和内部连接方式增强了散热性能。在满载工作条件下，合理的热设计可以保证结温始终处于安全范围内。该器件符合RoHS环保标准，并经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）和温度循环试验，确保在恶劣环境下依然可靠运行。这些综合特性使IRF7484成为高端电源管理应用的理想选择。
IRF7484常被用作高端开关或同步整流器，在降压型（Buck）DC-DC转换器中发挥重要作用。由于其P沟道特性，可在不使用外部电荷泵的情况下直接实现上管驱动，简化了驱动电路设计，降低了整体成本和复杂度，因此广泛应用于主板供电、GPU核心电源、嵌入式处理器供电等领域。在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器，该器件作为负载开关使用，能够高效地接通或切断外设电源，防止漏电流造成电量浪费，延长待机时间。
在热插拔电路或电源多路复用系统中，IRF7484也展现出优异性能。它能够平稳控制电源通断过程，限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。此外，在电机驱动、LED驱动电源以及工业控制模块中，该MOSFET可用于实现电源极性反转保护或作为背靠背配置中的开关元件，提升系统的安全性与鲁棒性。由于其工作温度范围宽且可靠性高，亦适用于部分汽车电子应用，如车载信息娱乐系统电源管理或辅助电源模块。总之，凭借其低导通损耗、快速响应和紧凑封装，IRF7484适用于各种对效率、尺寸和可靠性有较高要求的现代电子系统。
Si3443CDV-T1-GE3, FDC6330L, AO3415
