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IRF7478TR 发布时间 时间:2025/6/20 9:41:41 查看 阅读:4

IRF7478TR是来自Vishay Siliconix的一款N沟道功率MOSFET晶体管,采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件主要用于高频开关应用和负载切换,其设计优化了低导通电阻(Rds(on)) 和栅极电荷(Qg),从而提高效率并减少开关损耗。这款MOSFET适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动和负载开关等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  输入电容:2020pF(典型值)
  总功耗:14W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7478TR具有极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,同时减少了传导损耗。
  其优化的栅极电荷使其适合高频开关应用,能够显著降低开关损耗。
  该器件采用了坚固的封装设计,可承受高达175°C的工作结温,非常适合高温环境下的使用。
  此外,IRF7478TR具备快速开关能力,可以有效降低电磁干扰(EMI)问题,并提高整体系统的效率。

应用

该MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于以下几种:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如降压、升压或反激式DC-DC转换器。
  2. 电池充电及保护电路中的负载切换。
  3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品的电机驱动控制。
  4. 多种工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 车载电子系统,例如车身控制模块和照明控制系统中的功率分配与控制。

替代型号

IRF7404TR, IRF7407TR

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IRF7478TR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)26 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 典型关闭延迟时间44 ns