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IRF7475TRPBF 发布时间 时间:2025/5/8 15:22:06 查看 阅读:11

IRF7475TRPBF 是一款 N 没道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TSSOP-8 封装,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其设计旨在提供高效率和低导通损耗的解决方案,适用于需要高性能和可靠性的应用场合。
  IRF7475TRPBF 以其低导通电阻和快速开关特性著称,适合高频开关应用,并且能够承受较高的电流负载。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:50A
  脉冲漏极电流:100A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总栅极电荷:29nC
  输入电容:2480pF
  输出电容:1350pF
  反向传输电容:280pF
  结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF7475TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,从而减小磁性元件的尺寸并提高效率。
  3. 高电流处理能力,确保在大电流应用中具有出色的性能。
  4. 增强型热性能封装,有助于有效散热。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. 提供可靠的电气隔离,减少电磁干扰(EMI)。
  这些特性使得 IRF7475TRPBF 成为高效功率转换和电机驱动的理想选择。

应用

IRF7475TRPBF 可用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. UPS 系统中的逆变器模块。
  5. 工业控制和自动化设备中的功率管理。
  6. 汽车电子系统中的负载切换。
  由于其优异的性能,IRF7475TRPBF 在各种工业、消费类和汽车电子应用中表现出色。

替代型号

IRF7476TRPBF, IRF7477TRPBF, IRF7478TRPBF

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IRF7475TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 8.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1590pF @ 6V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7475TRPBF-NDIRF7475TRPBFTR