IRF7471TR 时间：2025/7/3 17:18:00 阅读：7

IRF7471TR 是一款 N 沱道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和开关应用。其封装形式为 SO-8，适合表面贴装技术（SMT），从而简化了 PCB 设计并提高了可靠性。
　　IRF7471TR 主要用于需要高效能、低损耗的电路设计中，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：32A
　　导通电阻：5.5mΩ
　　栅极电荷：18nC
　　开关时间：ton=9ns, toff=13ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：SO-8

特性

IRF7471TR 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 5.5mΩ，能够有效减少功率损耗，提升整体效率。
　　2. 高额定电流能力（32A），使其能够在高负载条件下稳定运行。
　　3. 快速开关性能，典型开关时间为纳秒级别（ton=9ns, toff=13ns），非常适合高频应用。
　　4. 小型化封装（SO-8），有助于节省 PCB 空间，并兼容自动化的 SMT 生产流程。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下的可靠性和耐用性。
　　6. 内置保护功能，如 ESD 防护，增强器件的抗干扰能力。

应用

IRF7471TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
　　2. 笔记本电脑、平板设备以及其他便携式电子产品的负载开关。
　　3. 各类电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机控制。
　　4. 电池管理系统（BMS），用于电池充放电保护及均衡管理。
　　5. 工业自动化设备中的信号处理与功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、制动控制系统等。