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IRF7469 发布时间 时间:2025/5/9 13:19:15 查看 阅读:9

IRF7469是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装形式,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合于需要高效能功率管理的应用场景。
  IRF7469通过优化的制造工艺实现了较低的Rds(on)(导通电阻),从而在高频工作条件下显著降低了功率损耗。此外,其阈值电压设计使得它易于与逻辑电平信号兼容,方便直接驱动。

参数

最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgss):±20V
  最大连续漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ
  总功耗(Ptot):11.5W
  结温范围(Tj):-55℃ to 150℃
  封装形式:TO-252

特性

IRF7469具有以下主要特性:
  1. 高效的功率转换能力,得益于其低至15mΩ的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 快速开关性能,支持高频应用环境,减少了开关损耗。
  3. 阈值电压(Vth)为2~4V,兼容标准逻辑电平驱动,简化了电路设计。
  4. 提供良好的热稳定性,在宽温度范围内保持稳定的工作状态。
  5. 封装紧凑且坚固,适合空间受限的应用场景,同时保证了较高的机械可靠性。
  6. 经过严格的质量控制流程,具备高可靠性和长使用寿命。

应用

IRF7469适用于多种电力电子应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括反激式、正激式等多种拓扑结构。
  2. DC-DC转换器中的功率开关,用于汽车电子、工业设备等场合。
  3. 电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机等控制。
  4. 各类负载切换应用,如电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 可再生能源系统,如太阳能逆变器中的功率级组件。
  6. 其他需要高性能功率开关的场合,如LED驱动器和音频放大器等。

替代型号

IRF7409, IRF7410, IRF7411

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IRF7469参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7469