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IRF7463TRPBF 发布时间 时间:2025/5/24 20:55:25 查看 阅读:11

IRF7463TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 没有逻辑控制的 MOSFET 功率晶体管,采用 TOLL 封装形式。这款器件设计用于高频和高效能开关应用,具有较低的导通电阻和较高的切换速度。其出色的性能使其在电源管理、电机驱动和电信设备等应用中表现出色。
  该型号属于 IRF7463 系列,优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡,以实现高效的功率转换。其坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:92A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:80nC
  总功耗:225W
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF7463TRPBF 提供低导通电阻 (Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外,其封装设计支持高功率密度和卓越的散热性能。
  该器件具备快速开关能力,从而减少了开关损耗,并且其较高的雪崩能量承受能力增强了系统的可靠性。
  TOLL 封装还提供了一个直接连接到裸露焊盘的引脚,有助于进一步提升散热效果和电气性能。
  其出色的热特性和电气性能使得它非常适合于需要高性能和高效率的应用场景。

应用

IRF7463TRPBF 主要应用于 DC/DC 转换器、逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动车辆中的电机控制器等领域。
  此外,由于其高电流处理能力和低导通电阻,它也非常适合工业自动化、机器人技术和通信基础设施中的大功率开关应用。
  在电动汽车市场中,该器件可用于电池管理系统和车载充电器等关键组件,以确保高效和安全的电力传输与管理。

替代型号

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IRF7463TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3150pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7463PBFTRIRF7463TRPBF-NDIRF7463TRPBFTR-ND