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IRF7463TR 发布时间 时间:2025/6/10 16:13:54 查看 阅读:24

IRF7463TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其封装形式为TO-252(DPAK),能够有效提高功率密度并降低系统损耗。
  IRF7463TR在设计时特别注重提升效率和可靠性,适用于需要高效能和紧凑设计的电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷(典型值):33nC
  总电容(输入电容):1030pF
  功耗:110W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

IRF7463TR具有非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中表现出色,能够显著减少导通损耗。此外,它的栅极电荷较低,有助于实现快速开关,从而减少开关损耗。
  该器件还具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。另外,其TO-252封装易于安装,并提供良好的散热性能。
  由于采用了Trench MOSFET技术,IRF7463TR能够在相同封装尺寸下提供更高的电流处理能力和更低的导通电阻,同时支持高频操作,非常适合现代高效能电子设备的需求。

应用

IRF7463TR广泛应用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关
  2. DC-DC转换器的核心元件
  3. 电机驱动电路中的功率级
  4. 电池管理系统中的负载开关
  5. LED驱动器中的调节元件
  这些应用都依赖于IRF7463TR的高效能、低损耗以及快速响应能力来确保系统的稳定性和效率。

替代型号

IRF7465TR, IRF7466TR

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IRF7463TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3150pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)