时间：2025/5/8 15:52:20
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IRF7460是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay制造。该器件采用SO-8封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合高效能功率管理应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：53A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：45nC
总电容（输入电容）：1650pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
IRF7460具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。
该器件还具备较高的电流承载能力，适合高功率密度的应用场景。
其快速开关性能能够有效降低开关损耗，并支持高频操作。
IRF7460的SO-8封装形式提供了良好的散热特性和紧凑的设计方案，适合空间受限的应用环境。
此外，该器件的工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境下的运行需求。
IRF7460主要应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载切换电路
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的功率管理
7. 电池管理系统中的保护和控制
8. 高效能LED驱动电路
由于其低导通电阻和高电流能力，IRF7460在需要高性能功率转换或大电流驱动的场合表现出色。
IRF7405, IRF7406, IRF7407
