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IRF7459TRPBF 发布时间 时间:2025/5/13 14:31:05 查看 阅读:6

IRF7459TRPBF 是一款 N 沪道增强型功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场合,如 DC-DC 转换器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统等。其设计特点是具有较低的导通电阻和良好的开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7459TRPBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,得益于较小的栅极电荷 (Qg),能够快速切换状态,减少开关损耗。
  3. 良好的热稳定性,在高结温条件下仍能保持稳定的电气性能。
  4. 支持较高的瞬态电流能力,适合短时间大电流63 封装,提供优秀的散热性能和机械强度。
  6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适用于恶劣环境下的应用。

应用

IRF7459TRPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 大功率 LED 照明驱动电路。
  6. 各种需要高效能功率开关的场景。

替代型号

IRF7459S, IRF7459TRPB

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IRF7459TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2480pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7459TRPBF-NDIRF7459TRPBFTR