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IRF7452 发布时间 时间:2025/7/11 19:45:58 查看 阅读:8

IRF7452 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沃特型功率场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 PQFN3333-16L 和 TO-252(DPAK),能够满足多种设计需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关速度:快速开关
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:PQFN3333-16L, TO-252(DPAK)

特性

IRF7452 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 2.8mΩ,从而显著降低了传导损耗,提升了系统效率。此外,它还具备较低的栅极电荷 (Qg),有助于实现高效的高频开关操作。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构,进一步优化了热性能和电气性能,使其能够在高电流密度条件下稳定运行。
  该产品的工作温度范围宽广,从 -55℃ 到 +175℃,保证了其在恶劣环境下的可靠性。同时,由于其封装紧凑且引脚布局合理,因此非常适合空间受限的应用场景。

应用

IRF7452 广泛应用于各类高效能电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电动工具和小型家电中的电机驱动
  5. 工业自动化控制中的负载开关
  6. 太阳能逆变器及 LED 驱动器

替代型号

IRF7401, IRF7402, IRF7450

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IRF7452参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7452