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IRF7424GTRPBF 发布时间 时间:2025/5/21 21:47:16 查看 阅读:3

IRF7424GTRPBF 是一款高性能的 N 沣道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有较低的导通电阻和快速开关性能,适用于高频功率转换应用。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),能够承受较高的电流和电压,同时具备出色的热性能。
  这款 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源等应用场景,适合需要高效率和低功耗的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:29nC
  输入电容:1640pF
  总功耗:188W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7424GTRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,能够有效降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 支持逻辑电平驱动,便于与微控制器或其他低电压信号源直接接口。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品制造需求。
  6. 热增强型 D2PAK 封装,提供良好的散热性能,支持大功率应用。

应用

IRF7424GTRPBF 可应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷直流电机。
  3. UPS(不间断电源)系统中的功率级开关。
  4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 汽车电子中的各种驱动和控制功能,例如电动座椅、车窗升降等。

替代型号

IRF7424TRPBF, IRF7425TRPBF

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IRF7424GTRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4030pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7424GTRPBFTR