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IRF7421D1TR 发布时间 时间:2025/5/9 10:08:45 查看 阅读:5

IRF7421D1TR 是一款由 Infineon(英飞凌)推出的 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等场景。
  IRF7421D1TR 属于 OptiMOS 系列,能够提供卓越的效率和可靠性,同时支持高电流负载。其优化的封装结构可以有效降低寄生电感,提升整体性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:59nC(典型值)
  开关时间:开启延迟时间 18ns,关断下降时间 23ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TOLL

特性

IRF7421D1TR 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用,能够显著降低开关损耗。
  3. 高额定电流(120A),使其适用于大功率场景。
  4. 提供出色的热性能,能够承受更高的结温(最高 175°C)。
  5. 优化的 TOLL 封装设计,减少寄生电感,增强电磁兼容性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

IRF7421D1TR 主要应用于以下领域:
  1. 工业与汽车级 DC-DC 转换器。
  2. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代品。
  3. 高效负载开关设计。
  4. 大功率电机驱动和逆变器。
  5. 可再生能源设备,例如太阳能微逆变器。
  6. 数据中心电源模块和其他高性能电力电子系统。

替代型号

IRF7421D1TRPBF

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IRF7421D1TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)